Bariérové vrstvy na bázi UV strukturovatelných polymerů a speciálních pigmentů ochrání elektroniku před kombinovanými vlivy prostředí a zvýší spolehlivost. Při pokračující miniaturizací moderních produktů je čím dál více funkcí elektroniky integrováno do menšího prostoru. S tímto trendem rostou také nároky na elektronické součástky a systémy, u kterých je požadována nejvyšší úroveň spolehlivosti po celou dobu životnosti. Jednou z příčin poškození elektronických prvků může být vliv koroze. Aby se jí předešlo, vyvíjí Fraunhoferův institut IFAM pro mikroelektronické součástky v rámci projektu Inteligentní spolehlivost 4.0 nové ochranné povlaky. Koncepce povlaku se skládá z nového typu formovacího materiálu na bázi silikonových gelů nebo alternativně z materiálů, které jsou optimalizovány s ohledem na použití s aktivními inhibitory koroze. IFAM vyvíjí také bariérovou vrstvu na bázi UV strukturovatelných polymerů a speciálních pigmentů. Může se tak aplikovat buď ve dvou vrstvách, nebo je lze nanášet jednotlivě. Jejich poloha je pak v celkové struktuře vrstvy přizpůsobena aplikačnímu profilu s kombinovanou vrstvou, ve které se využívá jak ochrana proti korozi, tak i bariérový efekt. Povlak dále nabízí ochranu před negativními účinky prostředí v podobě škodlivých plynů, nijak přitom nebrání odvodu tepla. Kromě toho může systém doplňovat selektivní nanopovlak polymeru z plazmy za atmosférického tlaku, který zlepšuje adhezi mezi kovovým vodičem a nástřikovým materiálem nebo ochrannou bariérovou vrstvou. To se týká jak ochrany povrchu vodiče nebo spoje při ztrátě adheze, tak kompenzace rozdílných koeficientů tepelné roztažnosti během provozu Tato vrstva také uzavírá povrchy s velmi malými tloušťkami vrstev pod 1 μm a zvyšuje tak ochranný účinek, aniž to má podstatný vliv na chování součástí při chlazení. Projekt, který řeší IFAM, je částí celkového úkolu ECSEL J U, vedeného společnosti Infineon Technologies AG a hrazeného z programu Horizont 2020. Podílí se na něm 75 partnerů z 13 vyspělých evropských zemí, včetně Slovenska. /Jiří Šmíd/
