Společnost Western Digital Corp. oznámila, že úspěšně vyvinula svoji pátou generaci technologie 3D NAND s označením BiCS5 a potvrdila své čelní postavení v daném odvětví při dodávkách nejpokročilejších technologií u pamětí flash. Nová technologie BiCS5 je postavena na technologiích TCL (triple-level-cell) respektive QLC (quad-level-cell) a poskytuje výjimečnou kapacitu, výkon a spolehlivost za příznivou cenu. Nová technologie přináší odpověď na požadavky trhu s exponenciálně rostoucím objemem dat například u digitálně propojených automobilů, mobilních zařízení a umělé inteligence.
Western Digital již zahájil výrobu úvodní série čipů BiCS5 a začal dodávat produkty s touto novou technologií. Plná sériová výroba se očekává v druhé polovině roku 2020. Produkty s technologií BiCS5 TLC a BiCS5 QLC budou dostupné v široké nabídce kapacit včetně 1,33 Tb (Terabit).***
„Se vstupem do nové dekády bylo nutné přehodnotit přístup k možnostem škálovatelnosti u technologie 3D NAND. Současně je nutné stále reagovat na požadavky spojené s růstem a rychlostí dat," říká Steve Paak, viceprezident pro paměťové technologie a výrobu společnosti Western Digital, a dodává: „Naše úspěšná výroba čipů BiCS5 dokládá vedoucí postavení společnosti Western Digital v technologiích u flash pamětí a důsledné sledování produktové politiky. S novou technologií jsme výrazně zvýšili škálovatelnost kapacity a výkonu u naší technologie 3D NAND a současně poskytujeme spolehlivost a příznivou cenu, tedy to, co očekávají naši zákazníci."
Technologie BiCS5 od společnosti Western Digital přináší aktuálně nejvyšší hustotu záznamu dosaženou u produktů této firmy a představuje současně nejpokročilejší technologii 3D NAND, která nyní využívá celou škálu nových prvků a výrobních inovací. Druhá generace pamětí s technologií multivrstev, vylepšený výrobní proces a další zlepšení u 3D NAND signifikantně zvyšují hustotu buněk umístěných horizontálně na waferu. Toto "laterální škálování" v kombinaci se 112 vrstvami vertikální paměti umožnuje v případě BiCS5 nabídnout až o 40 procent* vice úložné kapacity na jeden wafer při optimalizaci ceny (ve srovnání s technologií Western Digital s 96 vrstvami BiCS4). Nová konstrukční vylepšení také zvyšují požadovaný výkon a umožnují v případě BiCS5 nabídnout až o 50 procent vyšší hodnoty IOPS (ve srovnání s BiCS4). **
Technologie BiCS5 byla vyvinuta a je vyráběna ve spolupráci s partnerskou společností Kioxia Corporation. Výroba bude realizována ve výrobních závodech v japonském Yokkaichi a Kitakami.
Uvedení technologie BiCS5 rozvíjí portfolio produktů Western Digital 3D NAND, které najde využití mimo jiné v aplikacích u datacentrické osobní elektroniky, chytrých telefonů, zařízení IoT nebo v datových centrech.
*Na základě dostupných a plánovaných kapacit (256Gb a 512Gb)
**Na základě interního testování Western Digital
***1 Terabit (Tb) = 1 000 000 000 000 bitů