Ultrafialové záření, jehož vlnová délka je kratší než 300 nm, bývá označováno jako „hluboké ultrafialové záření“ (DUV, podle anglického deep ultraviolet). Japonský tým pod vedením odborníků Nagoya University vyvinul laserovou diodu, která jako první vyzařuje právě hluboké ultrafialové záření. Podle vedoucí výzkumu Chiaki Sasaokyové tato nová polovodičová dioda dokáže vytvořit záření o vlnové délce cca 272 nm při využití pulzujícího stejnosměrného proudu a za pokojové teploty. Dosavadní rekord v nejkratší vlnové délce záření laserové diody byl přitom 336 nm, tedy nad hranicí pro hluboké ultrafialové záření. Badatelé vytvořili rekordní laserovou UV diodu ze substrátu v podobě krystalu nitridu hliníku vysoké kvality, na který pak umístili jednotlivé vrstvy samotné diody. Kvalita použitého nitridu hliníku hrála významnou roli, protože nitrid hliníku nízké kvality obsahuje množství strukturních defektů, které ve výsledku snižují účinnost přeměny elektrického proudu na ultrafialové záření aktivní částí diody. Tato část diody je tvořena vrstvami nitridu hliníku a galia, přičemž hliník a galium jsou v těchto vrstvách v různém poměru. Laserové diody, které budou vyzařovat hluboké ultrafialové záření, mohou být použity například pro dezinfekční procedury ve zdravotnictví, při léčbě kožních onemocnění, jako je třeba lupénka (psoriáza), anebo pro analýzy plynů či DNA. Tvůrci nové diody dále vylepšují její parametry a soustředí se na vývoj polovodičových laserových produktů, které by vyzařovaly hluboké ultrafialové záření.
