Společnosti Micron Technology a Intel Corporation představily novou technologii 3D NAND, jež je flash pamětí s nejvyšší hustotou zápisu dat na světě. Flash paměť se využívá v nejtenčích laptopech, nejrychlejších datových centrech a téměř v každém mobilním telefonu, tabletu či jiném mobilním zařízení. Novou technologii 3D NAND vyvinuly společně společnosti Micron a Intel. Technologie sestává z vertikálního, mimořádně přesného navršení jednotlivých vrstev datových buněk, čímž bylo ve srovnání s jinými technologiemi typu NAND dosaženo trojnásobné kapacity. To umožňuje uložit více dat na menší místo, což přinese úspory nákladů, nižší spotřebu a vysoký výkon. Vše bude možné využít v široké škále zařízení pro koncové zákazníky i v nejnáročnějších firemních prostředích. V souladu s Mooreov ým zákonem Dvojrozměrná flash technologie NAND se blíží svým kapacitním limitům, což pro výrobce pamětí představuje výrazný problém. Technologie 3D NAND proto bude mít velice významný dopad na vývoj trhu, neboť udrží vývoj paměťových řešení v souladu s Mooreovým zákonem, trajektorií rostoucího výkonu a klesající ceny a zároveň přispěje k rozšířenějšímu používání technologií flash. „Spolupráce Micronu a Intelu vedla k vytvoření špičkové SSD technologie, jež nabízí vysokou hustotu dat, výkon i úspornost, jaké dnes nemají konkurenci,“ prohlásil viceprezident paměťových řešení společnosti Micron Brian Shirley. „Technologie 3D NAND má potenciál výrazně zamíchat s trhem. Dopad flashových pamětí – od chytrých telefonů po optimalizované superpočítače – je jen malou ukázkou toho, co všechno je možné,“ doplnil. „Naše spolupráce se společností Micron odráží náš dlouhodobý zájem o vývoj a výrobu inovativních pevných pamětí a jejich uvedení na trh,“ prohlásil viceprezident společnosti Intel a generální manažer divize energeticky nezávislých pamětí Rob Crooke a dodal: „Významný nárůst hustoty a snížení ceny jistě urychlí nástup úložišť bez pohyblivých částí na různých počítačových platformách.“ Nová procesní architektura Jedním z nejvýznamnějších aspektů této technologie je paměťová buňka samotná. Intel a Micron se rozhodly použít buňku s plovoucím hradlem, jež je všeobecně používána při výrobě dvojrozměrných pamětí flash. Jde vůbec o první použití této buňky v 3D NAND technologii, nicméně právě tato volba umožnila nárůst výkonu, kvality i spolehlivosti. Nová technologie 3D NAND používá vertikálního navrstvení buněk ve 32 vrstvách, čímž dosahuje 256 Gb v dvoúrovňovém (MLC) a 384 Gb v trojúrovňovém (TLC) stavu – tyto čipy je pak možné integrovat do standardního paměťového řešení. Díky tomu bude možné vyrábět SSD velikosti žvýkačky o kapacitě přes 3,5 TB a standardní SSD disky o rozměru 2,5 palce o kapacitě přes 10 TB. Protože je této kapacity dosaženo vertikálním vrstvením buněk, mohou být jejich rozměry podstatně větší. To by mělo vést k vyššímu výkonu i životnosti, takže by se TLC řešení mohla používat i v datových centrech. Verze 256Gb MLC je právě testována vybranými partnery, přičemž verze 384Gb TLC bude testována ještě během letošního jara. Výroba začala a obě paměti budou v plné výrobě do posledního čtvrtletí letošního roku. Obě společnosti vyvíjejí individuální řady SSD řešení postavených na 3D NAND technologii a očekávají, že tyto produkty budou uvedeny na trh během příštího roku.
