Veletrh Electronica nemá jen komerční ráz, zúčastňuje se jej i řada výzkumných a vývojových společností, což vedle představení současné technické úrovně slibuje i náznak vývojových trendů, včetně směrů miniaturizace elektroniky, odvozených od maximální hustoty obvodů a elektronických prvků. Letos v tomto směru slibuje výrazný krok kupředu oproti posledním letům, pokrokem v mikrolitografii, základní technologii ve výrobě polovodičů při projekci mikročipů na substrátový křemíkový disk navazující na laserovou vlnovou délku 13,5 nm. Čím kratší je vlnová délka laserového paprsku, tím užší struktury může vytvářet. Dosavadních 193 nm v ultrafialové části spektra je limitem už asi deset let a po tu dobu přední výrobci usilují o vývoj praktického, dostatečně výkonného laserového zdroje pro vyšší rozlišení a přiblížení se spektrální oblasti extrémně ultrafialové EUV, ta však má svá specifika zcela odlišná od dosavadních postupů. EUV záření je dobře absorbované všemi materiály, včetně vzduchu, a proto celý proces musí probíhat ve vakuu. Jiné jsou i nároky na masky elektronických obvodů a užívanou optiku. Jsou samozřejmě i další otázky, které je třeba se zaváděním EUV techniky řešit, ale byť jde o krátký výčet požadavků, dostatečně už ukazuje na obtížnost této cesty. Možnosti realizace Možnosti její realizace již loni naznačily dva návrhy postupů na principu Laser- Produced-Plasma. Jeden, který na vstupu využívá větší počet laserů jako předzesilovačů pro 20 kW CO2 laser, je od japonského výrobce Gigaphoton Inc. Na výstupu ještě ale negarantuje požadovaný výkon. Druhý představil Trumpf a jeho způsob potřebného zesílení výkonu laserového paprsku je už propracovanější. Zesilovač vychází pouze z komerčního CO2 desetikilowattového laseru a v pěti stupních zesílení dává na výstupu v pulzu střední výkon 20 kW a max. výkon několik MW pro zisk plazmy s vlnovou délkou 13,5 nm. Trumpf navíc začal svůj systém už loni dodávat i výrobcům litografických zařízení pro elektronický průmysl, a tak by veletrh Electronica vlastně mohl být první příležitostí, jak novou technologii představit. /jš/
