Výkonové polovodiče jsou srdcem
většiny moderních obvodů pro
elektronické ovládání a řízení výkonu.
Zvláště výkonové tranzistory
MOSFET se prosadily pro ovládání
nejrůznějších výkonových spotřebičů.
Aby usnadnil často obtížné
a nákladné galvanické oddělení
řídicího obvodu od výstupního
obvodu zátěže, uvedl Panasonic
Electric Works v poslední době na
trh svou novou řadu kompaktních
budičů pro tranzistory MOSFET
s označením APV. V podstatě to jsou
galvanicky izolované zdroje napětí
s omezeným výstupním proudem,
které umožňují bez přídavného
napájecího napětí nebo vnějšího
odporu, přímo budit všechny běžné
výkonové tranzistory MOSFET.
Tím se pořizovací náklady v porovnání
s galvanickým oddělením
pomocí optočlenů výrazně snižují.
Pomocí interního řídicího obvodu,
mimořádně odolného proti vnějšímu
rušení, se současně podařilo
zajistit krátkou dobu aktivace a velmi
rychlé vypnutí.
Budiče tranzistorů MOSFET řady
APV dodává Panasonic Electric Works
ve třech různých pouzdrech: ve standardním
pouzdru DIL pro povrchovou
montáž (SMD) se 6 piny, v pouzdru
SO se 4 piny nebo v mimořádně malém
pouzdru SSO s půdorysem jenom 2,65
x 4,45 mm a výškou 1,8 mm. Pevnost
izolace mezi vstupem a výstupem budiče
je podle typu pouzdra odstupňovaná
od hodnoty 1,5 kV, přes 2,5 kV až do
hodnoty 5 kV AC. Při doporučeném
vstupním proudu 5 mA je na výstupu
budiče k dispozici napětí 8,2 V / 8,7
V při zkratových proudech 8 µA, popř.
14 µA. Při velkém množství nabízených
typů s vynikající výstupní charakteristikou
lze s obvody řady APV bez
problémů ovládat (budit) všechny typy
průmyslových výkonových tranzistorů
MOSFET. Současně je pak pro mnoho
aplikací k dispozici také galvanicky
oddělený a proti poruchám odolný zdroj
napětí.
