Proces vakuového nanášení kovu formou páry v doutnavém výboji jakožto základ iontového plátování poprvé popsal Berghaus v roce 1938. Termín „iontové plátování“ ale poprvé použil a podrobný popis této technologie zaznamenal až Mattox v roce 1964. (vpl)
Jde tu o kombinaci metod odpařování a rozprašování ve vakuu. Je to metoda tvorby tenkých vrstev, řádově od 1 do 20 mikrometrů, jež se ve vakuu nanášejí rychlostí 0,1 mikrometru/ /min. Přitom vrstvy mohou tvořit jediný chemický prvek či těžkotavitelné sloučeniny (chemická reakce odpařovaného kovu ve vakuu za přítomnosti reaktivních plynů), jako jsou nitridy, oxidy, karbidy a jiné sloučeniny. Podle kvality vakua (nízké a vysoké) lze rozlišovat dva způsoby iontového plátování. Iontové plátování v doutnavém výboji (plazmě) probíhá v podmínkách nízkého vakua (0,5.10–1 až 10 Pa). Jde tu o jednoduché odpařování ve vakuu, kde povlakovaný materiál má funkci katody. Ta se nalézá v plazmě doutnavého výboje udržované jednosměrným či střídavým vysokofrekvenčním polem. Kladně nabité ionty inertního plynu jsou v plazmě urychlovány elektrickým polem směrem ke katodě. Ionty bombardují a průběžně čistí povrch před následným povlakováním. Materiál pro toto povlakování se odpařuje z odpařovacího zdroje, což je buď odporový tepelný zdroj anebo elektronové dělo. Atomy a molekuly odpařované látky se přechodem přes plazmu doutnavého výboje ionizují a po dopadu na katodu tvoří skvěle přilnavý povlak. Ionizace inertního plynu a odpařovaného materiálu se zvyšuje přidáním pomocných elektrod (mřížek). Ty kromě zvýšení intenzity ionizace usměrňují částice v jejich pohybu a umožňují zvyšovat proudovou hustotu na pokovované ploše. V podmínkách vysokého vakua (10–5 až 10–2 Pa) probíhá tzv. iontové plátování iontovým paprskem (IB-IP, tj. ion beam-ion plating). Proces používá pro bombardování povrchu cílového objektu externí iontový zdroj produkující vysokoenergetické ionty. Jako externí zdroj se používá Kaufmanův zdroj. Proces IB-IP charakterizují následující parametry: tlak ve vakuové komoře je 10–3 až 10–4 Pa, pracovní tlak v komoře po přívodu inertního plynu činí 1 až 10–1 Pa. Obvykle se užívá argon – pokud se aplikuje lehčí helium, je třeba k udržení výboje vyšší tlak, ale dosahuje se přitom nižší kvality vyčištění povrchu. Nasadí-li se těžší krypton, proběhne dobré čištění povrchu i při poměrně nízkém tlaku, ale využití tohoto plynu je fakticky limitováno jeho vysokou cenou.