Nový vědecký výsledek u magnetických pamětí

Tým vědců z laboratoře Hitachi Cambridge, Fyzikálního ústavu AV ČR a univerzit v Cambridge Nottinghamu oznámil, že se podařilo poprvé demonstrovat nový efekt nazvaný anizotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády (dále CBAMR). Aktivní část mikročipu, ve kterém byl jev pozorován, je zhotovena feromagnetického polovodiče a má rozměry jen několika desítek nanometrů. Díky CBAMR efektu funguje tato součástka zároveň jako magnetická paměť a tranzistor. Jednoduchost a nepatrné rozměry tohoto přístroje, jeho funkčnost spojující doposud oddělené oblasti mikroelektroniky a velikost efektu mohou mít veliký potenciál pro technologie magnetických senzorů, paměti a logických čipů. První zařízení CBAMR funguje pouze při nízkých teplotách, výzkumný tým ovšem ukázal, že CBAMR je generický efekt, který u zařízení zhotovených z kovových feromagnetů se silnou spin-orbitální interakcí přetrvává až do vysokých teplot. Firma Hitachi je jedním z největších výrobců magnetických paměťových médií. Laboratoř Hitachi Cambridge se zabývá fyzikálním výzkumem v oboru spintroniky zaměřeným na nové principy konstrukce a fungování čtecích hlav pevných disků, operační paměti a logických prvků. Fyzikální ústav AV ČR a Hitachi Cambridge v této oblasti dlouhodobě spolupracují. Společná práce o CBAMR jevu byla publikována ve Physical Review Letters v srpnu.